Книги наших авторов

</p> <p>

Название: Электронные приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на основе нанотехнологий

Авторы: Зоренко А.В., Чайка В.Е., Олейник В.Ф., Булгач В.Л., Валяев В.В., Миронов Д.В. 

Государственный университет информационно-коммуникационных технологий, Украина, Государственное предприятие "НИИ "Орион", Украина

Аннотация: В книге рассмотрены вопросы исследования электронных приборов последнего поколения, включая диоды Ганна, ЛПД, полевые транзисторы с барьером Шоттки с учётом новейших достижений на основе нанотехнологии в области повышения рабочей частоты генерации и расширения функциональных возможностей приборов с целью создания новых классов приборов, для современных систем радиолокации, связи и измерительной техники. Включены вопросы моделирования, расчёта характеристик в широком интервале параметров, методы инженерного расчёта и примеры экспериментального исполнения действующих приборов.

Исследуются достижимые характеристики приборов на основе матричных острийных катодов с автоэлектронной эмиссий. Рассмотрены диодные и триодные структуры на основе катодов из высоколегированных проводников, катодов, покрытых алмазоподобной плёнкой, катодов с разнообразными квантовыми ямами.

Рассмотрены методы создания генераторов видеоимпульсов субнаносекундной длительности для систем сверхширокополосной и подповерхностной локации.

Год выпуска: 2004

Издательство: Киев: ГУИКТ

УДК 621.385.12

ISBN 966-96313-1-2

Название: Полупроводниковые устройства диапазона миллиметровых волн.

Авторы: Касаткин Л.В., Чайка В.Е. – 319 с.: ил.

Государственное предприятие "НИИ "Орион", Украина.

Аннотация: В монографии описаны методы расчёта и проектирования источников электромагнитных колебаний на полупроводниковых диодах и транзисторах в миллиметровом диапазоне волн. Рассматриваются физические принципы действия различных классов полупроводниковых диодов и транзисторов, приводятся их амплитудно-частотные характеристики, необходимые для расчёта, проектирования и определения динамических характеристик источников электромагнитных колебаний.

Излагаются методы расчёта и оптимизации частотно-стабилизированных и широкополосных автоколебательных, усилительных, синхронизированных и частотно-умножительных систем; рассматриваются вопросы суммирования мощностей активных элементов в разветвлённых и мостовых электродинамических системах, в суммирующих резонаторах и волноводах в квазиоптических пространственно развитых системах.

Издание рассчитано на инженеров и научных сотрудников, работающих в области построения и эксплуатации полупроводниковых приборов и устройств СВЧ, на студентов и аспирантов, специализирующихся в указанной области.

Год выпуска: 2006

Издательство: Севастополь: Вебер

УДК 621.382.2.029.64

ISBN 966-7968-95-2

Название: Электровакуумные приборы диапазона миллиметровых волн.

Авторы: Касаткин Л.В., Рапопорт Г.Н., Рукин В.П., Еремка В.Д., Науменко В.Д., Мирошниченко В.С. – 252 с.: ил.

Государственное предприятие "НИИ "Орион", Украина,

Институт радиофизики и электроники им. А.Я.Усикова, НАН Украины

Аннотация: В монографии представлены основные результаты теоретических и экспериментальных исследований, технологических и экспериментальных разработок в области создания электровакуумных приборов (ЭВП) в диапазоне миллиметровых волн (ММВ). Основное внимание уделяется изложению конструктивно-технологических особенностей, поиску оптимальных технических решений и режимов работы электровакуумных СВЧ-приборов О-типа, магнетронов, гироприборов, генераторов дифракционного излучения диапазона ММВ. В книге последовательно обсуждаются эффективные технические решения, реализованные в ЭВП различных классов диапазона ММВ. Приводятся данные, характеризующие достигнутый уровень параметров и характеристик этих приборов, области их применения в современных радиоэлектронных системах и аппаратуре, а также основные перспективы их дальнейшего развития.

Издание рассчитано на инженеров и научных сотрудников, работающих в области разработки, проектирования и эксплуатации электровакуумных приборов СВЧ, и может быть полезной аспирантам и студентам, специализирующимся в данной области науки и техники.

Год выпуска: 2007

Издательство: Севастополь: «Вебер»

УДК 621.385.6

ISBN 978-966-335-079-0

Название: Гироприборы СВЧ: принципы действия и особенности конструкции.

Авторы: Касаткин Л.В., Рапопорт Г.Н. – 134 с: ил.

Государственное предприятие "НИИ "Орион", Украина

Аннотация: Приборы с поперечным колебательным движением электронов и взаимодействием с незамедленными волнами являются в настоящее время наиболее мощными электровакуумными приборами в миллиметровом диапазоне волн. Первые действующие приборы этого класса, выполненные как генераторы обратной волны с конструкцией на основе двухпроводной линии с трохоидальным электронным пучком, были созданы в 1957 году с уровнем выходной мощности единицы ватт в сантиметровом диапазоне волн. За истекшие 50 лет в результате активных теоретических и экспериментальных исследований, конструкторских и технологических разработок найдены и реализованы принципиально новые решения по созданию высокочастотных и электронно-оптических систем, являющихся основой построения новых классов мощных ЭВП импульсного и непрерывного действия с криволинейными потоками электронов без применения замедляющих высокочастотных систем – гироприборов генераторов и усилителей в диапазонах частот – от десятков до сотен гигагерц. Достигнутые уровни непрерывной мощности превышают единицы мегаватт в указанной области частот. Рассмотрены принципы действия, методы улучшения энергетических и диапазонных характеристик, особенности построения основных узлов гироприборов.

Издание рассчитано на инженеров и научных сотрудников, работающих в области разработок и эксплуатации приборов СВЧ и может быть полезным аспирантам и студентам, специализирующимся в данной области науки и техники.     

Год выпуска: 2008

Издательство: Севастополь: «Вебер»

УДК 621.385.6

ISBN 978-966-335-186-5; ISBN 978-966-335-187-2 (CD)

Название: Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС.

Авторы: Болтовец Н.С., Агеев О.А., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А. Под общей редакцией Р.В. Конаковой. –392 с: ил.

Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева, Украина,

Государственное предприятие "НИИ "Орион", Украина,

Технологический институт южного федерального университета, Россия,

НПО "Интеграл", Республика Беларусь

Аннотация: Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полупроводникам (GaP, SiC, GaN). Значительное место в монографии уделено применению силицидов в технологии СБИС и для формирования омических контактов к карбиду кремния, а также межфазным взаимодействиям в многослойных контактных системах к Si, GaAs и InP приборным структурам.

Монография рассчитана на широкий круг специалистов в области физики и технологии полупроводниковых приборов, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Год выпуска: 2008

Издательство: Харьков: НТК «Институт монокристаллов»

ISBN 966-02-2555-5 (серия); ISBN 978-9666-02-4742-0

Название: Радіоелектронні та навчально-тренувальні комплекси для підвищення безпеки польотів.

Авторы: Рудик В.І., Гученко М.І., Зубков А.М., Кісельов В.К., Ковальов Є.Д., Матюха В.М., Моцарь А.І., Моцарь П.І., Удовенко В.О., Хлопов Г.І. Под редакцией Г.И. Хлопова. – 192 с.: ил.

Институт радиофизики и электроники им. А.Я.Усикова, НАН Украины, Государственное предприятие "НИИ "Орион", Украина

Аннотация: Викладено результати комплексних досліджень в напрямку створення радіоелектронних комплексів для підвищення безпеки польотів.

На базі розроблених методів математичного моделювання динаміки польоту літального апарату і поведінки пілота розглянуто створення навчально-тренувальних комплексів для теоретичної та практичної підготовки екіпажів, а також для дослідження особливих, критичних та закритичних режимів польоту, що дозволяє розробляти рекомендації льотному складу по виходу із кризових ситуацій. Приведено методи створення та синтезу зображень великих просторів і поверхні, що підстилає, включаючи використання "електронних карт" і імітацію нічного бачення.

Наведено результати комплексних досліджень по створенню когерентного радара в короткохвильовій частині міліметрового діапазону для забезпечення цілодобового та всепогодного застосування авіації, включаючи створення елементної бази для приймально-передавального та антено-фідерного  пристроїв. Розглянуто особливості розповсюдження міліметрових хвиль у приземному шару тропосфери, властивості розсіювання типовими цілями, а також результати розробки методів радіолокаційного розпізнавання рухомих і нерухомих об'єктів.

Для науковців, спеціалістів, викладачів, аспірантів та студентів.

Год выпуска: 2010

Издательство: Харків. "Точка".

УДК 629.7.06:629.7.018

ISBN 978-966-8669-47-7

Название: Карбид кремния: технология, свойства, применение.

Авторы: Болтовец Н.С., Агеев О.А., Беляев А.Е., Киселёв В.С., Конакова Р.В., Лебедев А.А., Миленин В.В., Охрименко О.В., Поляков В.В., Светличный А.М., Чередниченко Д.И. Под  общей редакцией А.Е. Беляева и Р.В. Конаковой. –532 с.: ил.

Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева, Украина,

Государственное предприятие "НИИ "Орион", Украина,

Технологический институт южного федерального университета, Россия,

Аннотация: Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по методам выращивания монокристаллов и эпитаксиальных плёнок SiC, а также карбидокремниевой керамики. Опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах авторы рассматривают дефектообразование в SiC, роль дислокаций в процессах деградации р–n-переходов и диодов Шоттки. Значительное место в монографии уделено фрагментам технологии карбидокремниевых приборных структур: окислению SiC и формированию омических и барьерных контактов. Представлены данные о структуре и параметрах карбидокремниевых микроволновых диодов, а также рассмотрены различные области применения SiC и карбидокремниевой керамики.

Монография рассчитана на широкий круг специалистов в области физики и технологии полупроводниковых материалов и приборов, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Год выпуска: 2010

Издательство: Харьков, ИСМА

ISBN 966-02-2555-5 (серия); ISBN 978-966-02-5445-9

Название: Physico-Technological Aspects of degradation of Silicon microwave Diodes.

Авторы: Boltovets N.S., Belyaev A.E., Venger E.F., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Milenin V.V., Milenin G.V. – 182 p.

National academy of science of Ukraine, V.Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics.

State Enterprise Research Institute "Orion", Ukraine

Аннотация: The monograph deals with the physical phenomena occurring in the metal-semiconductor junction layer and at microwave diode breakdown, as well as methodology of the catastrophe theory when predicting failures for silicon diodes and transistors. The methods of measurements of the parameters of ohmic and barrier contacts, as well as degradation in silicon microwave diodes related to the physico-chemical and structural properties of metal- semiconductor interfaces, quality of the initial semiconductor material and p-n junction perfection, are considered. The experimental data on the techniques of defect gettering in microwave diode structures, particular, the low-temperature and non-heating gettering processes that improve the parameters of semiconductor devices, are presented.

The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to post-graduates and under-graduates specializing in corresponding areas.

Год выпуска: 2011

Издательство: Kyiv, Akademperiodika

УДК 621.382.2

ISBN 978-966-360-176-2

 

Название: Diffusion Barriers in Ohmic contacts to Semiconductor Devices Structures: Technology, Properties, Application.

Chapter IV in "Advances in Materials Science Research".–50 p. v.12.

Авторы: Boltovets N.S., Belyaev A.E., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Milenin V.V.

Аннотация: The problem of development of solid-state microelectronic devices of increased reliability and resistance to active actions involves search for and use of such materials for contact metallization that exclude or reduce considerably the action of factors stemming from migration processes.

The attempts to solve the problem of stabilization and reliability of the parameters of contact systems as well as reduction of the area and depth of such systems by using conventional thermodynamic and kinetic approaches did not succeed. Another way turned out to be more promising. It involves formation in the contact structure of stabilizing layers, namely, diffusion barriers that are not products of interactions between phases of the contacting layers [21]. Just that approach makes it possible to make radically new versions of contact structures for semiconductor devices that are resistant to various extreme actions and have smaller sizes.

We present the results of our investigations of contact systems (with diffusion barriers made as amorphous TiBx films) to the device structures that are based on Si, GaAs, GaP, InP, SiC and GaN epitaxial films and are used when making microwave devices.

Год выпуска: 2012

Издательство: Ed. Maryann C. Wythers. Nova Sci. Publ. Inc. New York

ISBN: 978-1-62100-045-7

Название: Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике

Авторы: Болтовец Н.С., Беляев А.Е., Венгер Е.Ф., Волков Е.Г., Кладько В.П.,  Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Миленин Г.В., Пилипенко В.А., Редько Р.А., Саченко А.В. Под  общей редакцией А.Е. Беляева и Р.В. Конаковой. – 384 с.: ил.

Национальная академия наук Украины, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева, Украина,

Государственное предприятие "НИИ "Орион", Украина,

НПО "Интеграл", Республика Беларусь

Аннотация: Настоящая коллективная монография содержит материал, охватывающий базовые физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике: методы рентгеновской дифракционной диагностики полупроводниковых материалов и структур, используемых в производстве СБИС и ряда дискретных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых структур с квантовыми точками, квантовыми ямами и сверхрешетками; методы электронной микроскопии; Оже-электронной спектрометрии, РФЭС, ВИМС и обратного резерфордовского рассеяния, а также ряд зондовых методов в диагностике контактной металлизации и электрофизических параметров полупроводниковых материалов,; теплофизические методы в диагностике микроволновых диодов и светодиодов.

Значительное внимание уделено методам математического моделирования механизмов токопереноса в контактах металл-полупроводник с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника и физико-статическому моделированию отказов в задачах диагностики полупроводниковых приборов.

Для научных работников и инженеров, занимающихся физическими методами диагностики в микро- и наноэлектронике, а также широкому кругу специалистов в области физики и технологии СБИС и дискретных полупроводниковых приборов.

Год выпуска: 2011

Издательство: Харьков, ИСМА

ISBN 966-02-2555-5 (серия); ISBN 978-966-02-6350-8

Название: Объемные поглотители СВЧ-излучения для электровакуумных приборов

Авторы: Часнык В.И.

Аннотация: В монографии обобщены экспериментальные исследования поглощения СВЧ-излучения, диэлектрических характеристик и теплопроводности в материалах-поглотителях на основе керамики из нитрида алюминия и добавок молибдена, вольфрама и карбида кремния. Эти материалы для объемных поглотителей используются при разработке новых электровакуумных приборов с улучшенными характеристиками: ламп бегущей волны, клистронов и магнетронов.

Книга рассчитана на инженеров и научных сотрудников, работающих в области разработки и проектирования электровакуумных приборов СВЧ и может быть полезной аспирантам и студентам, специализирующимся в этой области.

Год выпуска: 2014

Издательство: Киев: ИПЦ АЛКОН, 2014.– 70 с.: ил.

ISBN 978-966-8449-49-9

Название: Алюмонітридні функціональні матеріали, одержані з нанодисперсних та мікронних порошків гарячим пресуванням та вільним спіканням.

Авторы: І.П. Фесенко, М.М. Прокопів, В.І. Часник, О.М. Кайдаш, Г.С. Олійник, М.О. Кузенкова.

Науковий редактор: академік НАН України, д.т.н., професор М.В. Новіков

Аннотация: У монографії викладено фізико-хімічні основи створення матеріалів на основі нітриду алюмінію за допомогою проектування на рівні мікро- та макроструктури, фазового складу. Детально описано процес спікання при атмосферному тиску, так зване вільне спікання, яке дозволяє одержувати з кераміки на основі нітриду алюмінію деталі складної форми з необхідним рівнем фізико-механічних характеристик.

Для наукових та інженерно-технічних працівників, матеріалознавців, які займаються питаннями тримання однофазних та композиційних матеріалів, а також викладачів вузів, аспірантів та студентів відповідних спеціальностей.

Год выпуска: 2015

Издательство: Киев: ІВЦ АЛКОН, 2015.– 172 с.

ISBN 978-966-8449-53-6

Название: Физико-технологические проблемы нитридгаллиевой электроники

Авторы: Беляев A.E., Бeссолов В.Н., Болтовец Н.С., Жиляев Ю.В., Кладько В.П., Конакова Р.В., Кучук А.В., Саченко А.В., Шеремет В.Н. Под редакцией A.E. Беляева, Р.В. Конаковой. – 258 стр.; ил.

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва, НАН Украины

Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, АН России

Аннотация: В монографии систематизированы и обобщены результаты анализа особенностей технологии объемных нитридгаллиевых слоев на сапфировых и карбидкремниевых подложках, а также физико-технологических, модельных и теоретических исследований омических контактов к нитриду галлия. Впервые подробно рассмотрены температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области нитрида галлия.

Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся проблемами технологии нитрда галлия и производством приборов на его основе, а также аспирантов и студентов высшей школы

Год выпуска: 2016

Издательство: Киев, НВП "Наукова думка" НАН Украины

ISBN 978-966-00-1508-1